IRF820

Name: TIRF820 TIRF820
Brand: Siliconix
SKU: TIRF820
Price: 0.3526 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF820

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF820PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF820 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

370 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	650+
Nettopreis (EUR)	0,8103	0,5114	0,4017	0,3666	0,3526

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF820 RoHS ...N23K AN Gehäuse: TO220

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	650+
Nettopreis (EUR)	0,8103	0,5114	0,4017	0,3666	0,3526

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF820PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

10714 stk.

Anzahl Stück	450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3526

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRF820PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3526

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF820PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

975 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3876

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT