IRF820A

Symbol Micros: TIRF820a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF820APBF;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF820A RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8775 0,5499 0,4305 0,4071 0,3814
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole