IRF820A
Symbol Micros:
TIRF820a
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF820APBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF820A RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8757 | 0,5488 | 0,4297 | 0,4063 | 0,3806 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF820APBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
929 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3806 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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