IRF820A
Symbol Micros:
TIRF820a
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 2.5A 500V 50W 3Ω
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF820A RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8767 | 0,5494 | 0,4302 | 0,4068 | 0,3811 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Montage: | THT |
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