IRF840
Symbol Micros:
TIRF840
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 8A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF840PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
Max. Drainstrom: | 8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF840B RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
215 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,2774 | 0,8920 | 0,7566 | 0,7122 | 0,6725 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2422 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6725 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1650 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6725 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6920 |
Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
Max. Drainstrom: | 8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole