IRF840

Symbol Micros: TIRF840
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 8A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF840PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF840B RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
215 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,2774 0,8920 0,7566 0,7122 0,6725
Standard-Verpackung:
50/300
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2422 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6725
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1650 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6725
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6920
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT