IRF840APBF VISHAY
Symbol Micros:
TIRF840a
Gehäuse: TO-220AB
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840APBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
Max. Drainstrom: | 8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO-220AB |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF RoHS
Gehäuse: TO-220AB
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4642 | 1,0252 | 0,8197 | 0,7963 | 0,7706 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF
Gehäuse: TO-220AB
Externes Lager:
1100 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7706 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF
Gehäuse: TO-220AB
Externes Lager:
300 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,7706 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF
Gehäuse: TO-220AB
Externes Lager:
1150 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7706 |
Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
Max. Drainstrom: | 8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO-220AB |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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