IRF840APBF VISHAY

Symbol Micros: TIRF840a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO-220AB
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840APBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF RoHS Gehäuse: TO-220AB  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4642 1,0252 0,8197 0,7963 0,7706
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF Gehäuse: TO-220AB  
Externes Lager:
1100 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7706
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF Gehäuse: TO-220AB  
Externes Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7706
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF Gehäuse: TO-220AB  
Externes Lager:
1150 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7706
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT