IRF840SPBF

Symbol Micros: TIRF840s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 8A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF840SPBF; IRF840STRRPBF; IRF840STRLPBF; IRF840S;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	850mOhm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF840SPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,2897	0,9002	0,7183	0,6903	0,6787

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

2125 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6787

Widerstand im offenen Kanal:	850mOhm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD