IRF8707
Symbol Micros:
TIRF8707
Gehäuse: SOP08
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 11,9 mOhm; 11A; 2,5 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRF8707TRPBF; IRF8707PBF-GURT; IRF8707PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 11,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF8707TR RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
78 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 40+ | 120+ | 600+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9574 | 0,6375 | 0,4997 | 0,4717 | 0,4554 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF8707TRPBF
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
3550 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4554 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 11,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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