IRF8707

Symbol Micros: TIRF8707
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 11,9 mOhm; 11A; 2,5 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRF8707TRPBF; IRF8707PBF-GURT; IRF8707PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11,9mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF8707TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
78 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 40+ 120+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,9580 0,6379 0,5000 0,4720 0,4556
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Standard-Verpackung:
40/120
Widerstand im offenen Kanal: 11,9mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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