IRF8736

Symbol Micros: TIRF8736

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,8 mOhm; 18A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF8736PBF; IRF8736TRPBF; IRF8736PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,8mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF8736 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

Auf Lager:

162 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,1366	0,7968	0,6772	0,6174	0,5982

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8736TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

16000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5982

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8736TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

9500 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5982

Widerstand im offenen Kanal:	6,8mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD