IRF8910TRPBF

Symbol Micros: TIRF8910
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 18,3 mOhm; 10A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF8910PBF; IRF8910TRPBF; IRF8910PBF-GURT; IRF8910;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18,3mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF8910TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9063 0,5691 0,4735 0,4209 0,3946
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8910TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3946
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18,3mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD