IRF8910TRPBF
Symbol Micros:
TIRF8910
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 18,3 mOhm; 10A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF8910PBF; IRF8910TRPBF; IRF8910PBF-GURT; IRF8910;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 18,3mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF8910TR RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9063 | 0,5691 | 0,4735 | 0,4209 | 0,3946 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF8910TRPBF
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3946 |
Widerstand im offenen Kanal: | 18,3mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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