IRF9328TRPBF

Symbol Micros: TIRF9328

Gehäuse: SOIC08

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 19,7 mOhm; 12A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9328TRPBF; IRF9328PBF; IRF9321PBF-GURT; IRF9328;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	19,7mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9328 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9363	0,6226	0,4952	0,4528	0,4457

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9328TR RoHS Gehäuse: SOIC08t/r

Auf Lager:

3940 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9363	0,6226	0,4952	0,4528	0,4457

Widerstand im offenen Kanal:	19,7mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD