IRF9332

Symbol Micros: TIRF9332

Gehäuse: SOP08

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 28,1 mOhm; 9,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9332TRPBF; IRF9332PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	28,1mOhm
Max. Drainstrom:	9,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	28,1mOhm
Max. Drainstrom:	9,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD