IRF9510

Symbol Micros: TIRF9510
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9510 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6944 0,4349 0,3413 0,3226 0,3016
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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