IRF9510

Symbol Micros: TIRF9510

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 4A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9510PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	43W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9510 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6715	0,4212	0,3299	0,3112	0,2925

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9510PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1050 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2925

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9510PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6715	0,4212	0,3299	0,3112	0,2925

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9510PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

655 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2925

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	43W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT