IRF9520

Symbol Micros: TIRF9520
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-MOSFET 6,8A 100V 6W 0.6Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9520 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
130 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9019 0,5678 0,4440 0,4183 0,3926
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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