IRF9520S smd
Symbol Micros:
TIRF9520s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 600 mOhm; 6,8A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9520SPBF; IRF9520STRPBF; IRF9520STRLPBF; IRF9520STRRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9520SPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1183 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3365 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-05-02
Anzahl Stück: 250
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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