IRF9530NSTRLPBF
Symbol Micros:
TIRF9530ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 14A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530NSPBF; IRF9530NSTRLPBF; IRF9530NSTRRPBF; IRF9530NSPBF-GURT; IRF9530NS;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
| Max. Drainstrom: | 14A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9530NSTRL RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Auf Lager:
433 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0303 | 0,6853 | 0,5679 | 0,5116 | 0,4905 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
| Max. Drainstrom: | 14A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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