IRF9530S smd

Symbol Micros: TIRF9530s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 300 mOhm; 12A; 88W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530SPBF; IRF9530STRLPBF; IRF9530STRRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	300mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	88W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9530S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Auf Lager:

144 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,0975	0,7286	0,5604	0,5324	0,5231

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9530SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1179 stk.

Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5231

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRF9530SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

450 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5231

Widerstand im offenen Kanal:	300mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	88W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD