IRF9540N

Symbol Micros: TIRF9540n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 117 mOhm; 23A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9540; IRF9540NPBF; IRF9540PBF; IRF 9540 N PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 117mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9540NPBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
2363 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0963 0,8055 0,6459 0,5529 0,5219
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9540NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2385 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5441
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF 9540 N PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2940
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9540NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3499 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5219
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 117mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT