IRF9540NLPBF

Symbol Micros: TIRF9540nl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 117 mOhm; 23A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 117mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9540NL RoHS Gehäuse: TO262 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4058 0,9855 0,8360 0,7659 0,7403
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Standard-Verpackung:
20
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9540NLPBF Gehäuse: TO262  
Externes Lager:
4863 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7675
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 117mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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