IRF9610
Symbol Micros:
TIRF9610
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 1,8A; 20W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9610PBF;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF9610 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7534 | 0,4773 | 0,3767 | 0,3440 | 0,3276 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
14950 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3276 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
436 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3276 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
425 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3276 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole