IRF9610

Symbol Micros: TIRF9610
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 1,8A; 20W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9610PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9610 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7534 0,4773 0,3767 0,3440 0,3276
Standard-Verpackung:
50/300
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
14950 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3276
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
436 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3276
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
425 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3276
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT