IRF9640S

Symbol Micros: TIRF9640s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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P-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640SPBF IRF9640STRLPBF IRF9640STRRPBF

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9640S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1947 0,9118 0,7551 0,6616 0,6289
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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