IRF9910

Symbol Micros: TIRF9910
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 18,3 mOhm/11,3 mOhm; 10A/12A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9910PBF; IRF9910TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18,3mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9910TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3668 0,9579 0,8131 0,7430 0,7196
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 18,3mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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