IRF9952

Symbol Micros: TIRF9952

Gehäuse: SOP08

2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 150 mOhm/400 mOhm; 3,5 A/2,3 A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9952TRPBF; IRF9952PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	3,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xN/P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9952TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

3100 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1913

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	3,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xN/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD