IRF9Z34NSTRLPBF
Symbol Micros:
TIRF9Z34ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 100 mOhm; 19A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z34NS; IRF9Z34NSPBF; IRF9Z34NSTRRPBF; IRF9Z34NSTRLPBF; IRF9Z34NSPBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 19A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NSTR RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Auf Lager:
350 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0747 | 0,7149 | 0,5911 | 0,5327 | 0,5117 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1510 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5117 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
8800 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5117 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 19A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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