IRFB11N50A

Symbol Micros: TIRFB11n50a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET 500V 11A 170W 0.520Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 520mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFB11N50A RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5454 1,1807 0,9773 0,8557 0,8136
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Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFB11N50APBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5454 1,1807 0,9773 0,8557 0,8136
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 520mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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