IRFB18N50K

Symbol Micros: TIRFB18n50k

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 290 mOhm; 17A; 220 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFB18N50KPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	290mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	220W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFB18N50KPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1137 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2599

Widerstand im offenen Kanal:	290mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	220W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT