IRFB18N50K
Symbol Micros:
TIRFB18n50k
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 17A 500V 220W 0.29Ω
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 290mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 220W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 290mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 220W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole