IRFB260NPBF Infineon
Symbol Micros:
TIRFB260n
Gehäuse: TO220AB
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 56A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 380W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB260N RoHS
Gehäuse: TO220AB
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,8974 | 3,2996 | 2,9400 | 2,7065 | 2,6154 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB260NPBF
Gehäuse: TO220AB
Externes Lager:
880 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6154 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB260NPBF
Gehäuse: TO220AB
Externes Lager:
4467 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6154 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 56A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 380W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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