IRFB3077PBF TO220AB
Symbol Micros:
TIRFB3077
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 3,3 mOhm; 210A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3077GPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 210A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB3077 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
14 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6154 | 2,2605 | 2,0503 | 1,9195 | 1,8682 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB3077PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
152698 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8682 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB3077PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
5421 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8682 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 210A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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