IRFB3206 TO220
Symbol Micros:
TIRFB3206
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3206PBF; IRFB 3206 PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 210A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB3206PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
11282 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5649 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB3206PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
130 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8177 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRFB 3206 PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
92 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2966 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 210A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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