IRFB3207Z

Symbol Micros: TIRFB3207z

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 4,1 mOhm; 170A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3207ZPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,1mOhm
Max. Drainstrom:	170A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB3207Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,6799	1,3411	1,1472	1,0304	0,9883

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3207ZPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1566 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9883

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3207ZPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

180 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0400

Widerstand im offenen Kanal:	4,1mOhm
Max. Drainstrom:	170A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT