IRFB3207Z
Symbol Micros:
TIRFB3207z
Gehäuse: TO220
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 170A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 170A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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