IRFB3307
Symbol Micros:
TIRFB3307
Gehäuse: TO220
N-MOSFET HEXFET 130A 75V 250W 0.0063Ω
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 130A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 130A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole