IRFB3307

Symbol Micros: TIRFB3307
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 6,3 mOhm; 130A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3307PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,3mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3307PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5898 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7767
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6,3mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole