IRFB3806

Symbol Micros: TIRFB3806
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15,8 mOhm; 43A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3806PBF; IRFZ48PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB3806 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 300+ 600+
Nettopreis (EUR) 1,0742 0,7146 0,5534 0,5184 0,5114
Standard-Verpackung:
50/300
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3806PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5040 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5114
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3806PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
440 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5114
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT