IRFB4019

Symbol Micros: TIRFB4019
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 17A 150V 80W 0.095Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT