IRFB4019

Symbol Micros: TIRFB4019

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 95mOhm; 17A; 80W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4019PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	95mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4019PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

22550 stk.

Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3994

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4019PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

320 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4563

Widerstand im offenen Kanal:	95mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT