IRFB4020
Symbol Micros:
TIRFB4020
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 100 mOhm; 18A; 100 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4020PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 100W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB4020 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
92 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8037 | 1,3364 | 1,1121 | 1,0864 | 1,0607 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4020PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
9063 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0607 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4020PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
630 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0607 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 100W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole