IRFB4227PBF
Symbol Micros:
TIRFB4227
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227PBF; IRFB4227PBFXKMA1; IRFB4227;
Parameter
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB4227 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1344 | 1,7888 | 1,5903 | 1,4688 | 1,4221 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4227PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
33274 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4221 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4227PBFXKMA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1583 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4221 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4227PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
890 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4221 |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole