IRFB4228

Symbol Micros: TIRFB4228

Gehäuse: TO220

N-MOSFET; 150V; 30V; 15mOhm; 83A; 330W; -40°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFB4228PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	83A
Maximaler Leistungsverlust:	330W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4228 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	3,2853	2,7321	2,4055	2,1981	2,1194

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4228PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1099 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1194

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4228PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

600 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1194

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	83A
Maximaler Leistungsverlust:	330W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Montage:	THT