IRFB4310z
Symbol Micros:
TIRFB4310z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6mOhm; 127A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4310ZPBF;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 127A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4310ZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
16855 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0020 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4310ZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
610 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3942 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 127A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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