IRFB4410PBF
Symbol Micros:
TIRFB4410
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10mOhm; 96A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 10mOhm |
Max. Drainstrom: | 96A |
Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB4410 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
74 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6603 | 1,2306 | 1,0252 | 0,9995 | 0,9761 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4410PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
71605 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9761 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4410PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,9761 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4410PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9761 |
Widerstand im offenen Kanal: | 10mOhm |
Max. Drainstrom: | 96A |
Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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