IRFB4410Z

Symbol Micros: TIRFB4410z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9mOhm; 97A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4410ZPBF; IRFB4410ZTRPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 97A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4410Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
194 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9876 1,4743 1,2282 1,1860 1,1696
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 97A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT