IRFB4710
Symbol Micros:
TIRFB4710
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4710PBF;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
Max. Drainstrom: | 75A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
Max. Drainstrom: | 75A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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