IRFB4710
Symbol Micros:
TIRFB4710
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4710PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 75A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB4710 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4683 | 2,1344 | 1,9359 | 1,8098 | 1,7631 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4710PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7631 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 75A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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