IRFB52N15D

Name: TIRFB52n15d TIRFB52n15d
Brand: Infineon
SKU: TIRFB52n15d
Price: 1.5622 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB52n15d

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 32mOhm; 60A; 320 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB52N15DPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	32mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	320W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB52N15DPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

71 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,3445	1,9662	1,7467	1,6113	1,5622

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB52N15DPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

14472 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5622

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB52N15DPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4940 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5622

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB52N15DPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5622

Widerstand im offenen Kanal:	32mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	320W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT