IRFB5615
Symbol Micros:
TIRFB5615
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 39mOhm; 35A; 144W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB5615PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 39mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 144W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB5615PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3601 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4412 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB5615PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6611 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 39mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 144W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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