IRFB5620
Symbol Micros:
TIRFB5620
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 72,5 mOhm; 25A; 144W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB5620PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 72,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 25A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 144W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB5620 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,3242 | 4,5069 | 4,0142 | 3,6966 | 3,5728 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB5620PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1684 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,5728 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 72,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 25A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 144W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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