IRFB59N10D

Symbol Micros: TIRFB59n10d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 25mOhm; 59A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB59N10DPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 59A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB59N10D RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6425 1,2546 1,0374 0,9089 0,8645
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 59A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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