IRFB7434
Symbol Micros:
TIRFB7434
Gehäuse: TO220AB
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,8 mOhm; 317A; 294 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB7434PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 317A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 294W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7434PBF
Gehäuse: TO220AB
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0948 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 317A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 294W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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