IRFB7437 TO220AB
Symbol Micros:
TIRFB7437
Gehäuse: TO220AB
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2mOhm; 250A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB7437PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 250A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB7437 RoHS
Gehäuse: TO220AB
Datenblatt
Auf Lager:
58 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8191 | 1,3497 | 1,1232 | 1,0952 | 1,0695 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7437PBF
Gehäuse: TO220AB
Externes Lager:
9817 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0695 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7437PBF
Gehäuse: TO220AB
Externes Lager:
590 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0695 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 250A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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