IRFB7530
Symbol Micros:
TIRFB7530
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,1 mOhm; 295A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB7530PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 295A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB7530 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5010 | 2,0970 | 1,8658 | 1,7210 | 1,6673 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7530PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1230 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6673 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7530PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
70 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6673 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 295A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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