IRFB7537PBF International Rectifier

Symbol Micros: TIRFB7537
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,5 mOhm; 173A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5mOhm
Max. Drainstrom: 173A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB7537 RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9102 1,6019 1,4245 1,3124 1,2727
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7537PBF Gehäuse: TO220AB  
Externes Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2727
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,5mOhm
Max. Drainstrom: 173A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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