IRFB7537PBF International Rectifier
Symbol Micros:
TIRFB7537
Gehäuse: TO220AB
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,5 mOhm; 173A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 173A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB7537 RoHS
Gehäuse: TO220AB
Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9449 | 1,6310 | 1,4503 | 1,3362 | 1,2958 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7537PBF
Gehäuse: TO220AB
Externes Lager:
959 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2958 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7537PBF
Gehäuse: TO220AB
Externes Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2958 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 173A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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