IRFB7545PBF

Symbol Micros: TIRFB7545

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6,3 mOhm; 95A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48VPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,3mOhm
Max. Drainstrom:	95A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7545 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,1723	0,7776	0,6001	0,5675	0,5581

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7545PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

5287 stk.

Anzahl Stück	450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5581

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7545PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1980 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5581

Widerstand im offenen Kanal:	6,3mOhm
Max. Drainstrom:	95A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT