IRFB9N65A

Name: TIRFB9n65a TIRFB9n65a
Brand: International Rectifier
SKU: TIRFB9n65a
Price: 0.4670 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB9n65a

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 930 mOhm; 8,5A; 167W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFB9N65APBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	930mOhm
Max. Drainstrom:	8,5A
Maximaler Leistungsverlust:	167W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB9N65A Gehäuse: TO220

Auf Lager:

8 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	250+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9808	0,6515	0,5044	0,4740	0,4670

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFB9N65A RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9808	0,6515	0,5021	0,4740	0,4670

Widerstand im offenen Kanal:	930mOhm
Max. Drainstrom:	8,5A
Maximaler Leistungsverlust:	167W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT