IRFBC40

Name: TIRFBC40 TIRFBC40
Brand: Vishay
SKU: TIRFBC40
Price: 0.6072 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFBC40

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 1,2 Ohm; 6,2A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BUZ90A; IRFBC40PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	6,2A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFBC40PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

177 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	250+
Nettopreis (EUR)	1,1536	0,8056	0,6819	0,6422	0,6072

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBC40PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

550 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6072

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBC40PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2250 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6072

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBC40PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

8700 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6072

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	6,2A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT