IRFBE30

Name: TIRFBE30 TIRFBE30
Brand: Vishay
SKU: TIRFBE30
Price: 0.8547 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFBE30

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 3Ohm; 4.1A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBE30PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFBE30 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

58 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,6230	1,1372	0,9107	0,8827	0,8547

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBE30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

550 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8547

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBE30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

910 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8547

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFBE30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

600 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8547

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT